AD
Microsemi的新型SiC MOSFET和SBD非常适合工业和汽车市场中各种应用，其SiC MOSFET也可用于医疗、航天、国防和资料中心市场中的开关模式电源和马达控制应用。
Wide Band Gap(WBG)材料优势成为电动车商用化重要推手
2018年车用电子发展成市场焦点，智慧化、联网化、电动化为汽车主要发展方向。其中，地球暖化问题日益受到关切，汽车动力源(600405,股吧)以电能取代燃油驱动的方式成为可预见的未来，同时，在消费者便利性的考量下，汽车的续航力将成为消费者是否愿意购买的重点之一。
WBG材料SiC具备耐高温、高频、高电压的优势，可大幅减少芯片面积，并大大减轻周边电路的负担，以达到车体轻量化目的，加上低导通电阻及低切换损失的优势，使得元件运转时的能耗大幅降低，对于增加汽车续航力有相当程度的帮助，因此SiC取代Si基功率元件很可能成为电动车商用化的重要推手。
车用认证程序长成本太高车用SiC需求爆发需再等等
SiC功率元件在车用领域的采用情形是SiC规模成长的重要因素，然而SiC发展受限于渐进式的取代过程、严格费时的认证程序，以及昂贵的制造成本，故多应用在高端电动车且处于测试阶段。
因此产值规模仍小，根据拓墣统计，2018年SiC功率元件产值将达3.3亿美元，SiC于车用部分不到1%，虽然SiC的经济规模成长趋势是确定的，但车用SiC需求爆发还需再等等。
文丨 拓墣产业研究院 黄志宇
拓墣产业研究院
咨询|顾问|智库
本文首发于微信公众号：拓墣产业研究院。文章内容属作者个人观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。
