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7nm工艺功耗降低35%!高通5G SoC曝光-科技频道-金鱼财经网

[2021-02-27 00:32:22] 来源: 编辑:wangjia 点击量:
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导读: 三星官网近日宣布,高通未来的5G移动芯片将基于三星7nm LPP工艺打造,该技术节点会引入EUV(极紫外光刻)。早在去年5月,三星就首秀了7nm LPP EUV工艺,此番再次拿下高通大订单,意味着三

三星官网近日宣布,高通未来的5G移动芯片将基于三星7nm LPP工艺打造,该技术节点会引入EUV(极紫外光刻)。早在去年5月,三星就首秀了7nm LPP EUV工艺,此番再次拿下高通大订单,意味着三星这项新工艺在良品率上已经得到了较好的控制,即将开始量产。

三星7nm LPP EUV工艺相比目前的10nm FinFET工艺,在芯片尺寸上缩小了40%,性能提升10%,功耗下降35%。如果CPU、GPU频率能够再次提高,带来的提升就十分可观了。不过,相比性能提升,新工艺在功耗上的进步更加让我们惊喜,旗舰机日常使用满两天的好日子可能要来了!

三星7nm LPP EUV工艺相比目前的10nm FinFET工艺,在芯片尺寸上缩小了40%,性能提升10%,功耗下降35%。如果CPU、GPU频率能够再次提高,带来的提升就十分可观了。不过,相比性能提升,新工艺在功耗上的进步更加让我们惊喜,旗舰机日常使用满两天的好日子可能要来了!三星7nm LPP EUV工艺相比目前的10nm FinFET工艺,在芯片尺寸上缩小了40%,性能提升10%,功耗下降35%。如果CPU、GPU频率能够再次提高,带来的提升就十分可观了。不过,相比性能提升,新工艺在功耗上的进步更加让我们惊喜,旗舰机日常使用满两天的好日子可能要来了!

三星表示,三星和高通的代工合作关系将至少维持10年,台积电可真是要哭晕了。下一代高通顶级移动平台基本确定就是之前曝光的骁龙855。借助7nm LPP EUV工艺,骁龙855手机将为机身内部提供更多的可用空间,手机厂商们可以在新机中置入更大的电池,或者采用更薄的机身设计。

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